一、德国旅游大疆无人机价格表
官方报价为人民币5.79万元。大疆无人机t50是采用了共轴双旋翼设计，支持播撒50公斤载重，75升大容量，一次装满一袋肥，1小时播撒1.5吨肥，另支持喷洒40公斤载重，实测大田作业320亩/小时。
二、德国进口的无人机怎么样
说实话，G1840赛扬系列双核，性能虽然不好，但是家用对电脑要求不高就可以用用，玩一般网络游戏还是可以的，LOL DNF CF是可以的，所以有点要求都不要买这个CPU，徐非办公，玩小游戏，看电影电视之类的。英特尔公司是世界上最大的半导体公司，也是第一家推出x86架构处理器的公司，总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉。由罗伯特・诺伊斯、高登・摩尔、安迪・葛洛夫，以“集成电子”之名在1968年7月18日共同创办公司，将高级芯片设计能力与领导业界的制造能力结合在一起。1971年，英特尔推出了全球第一个微处理器,微处理器所带来的计算机和互联网革命，改变了整个世界。英特尔也有开发主板芯片组、网卡、闪存、绘图芯片、嵌入式处理器，与对通信与运算相关的产品等。2016年1月5日，英特尔收购德国无人机公司Ascending Technologies GmbH。2016年1月6日，英特尔表示与美国女星Lady Gaga的合作。2017年6月7日，2017年《财富》美国500强排行榜发布，英特尔公司排名第47位。楼下7级你就不要搞笑了，真是。。。。楼主，我单位用的全部都是1840，有的还是1820。我可以负责任的说，首先g1840作为桌面级最低级的赛扬，性能肯定比不上酷睿i357，但是最基本的办公是绝对没问题的。我自己实测，在4G内存下，同时开3个文档+5个网页，同时进行打印完全没问题。而且其集成显卡也一般，作为GT1，性能当然差，和很多入门级显卡都比不了。但是早起游戏英雄无敌3，半条命2，和各种仙剑奇侠传一类的RPG还是绰绰有余带的动的。应该说，1840作为200的处理器，因特尔推出它的目的就是办公而已。他性能差但是够用，你如果指望他去玩大型单机游戏那肯定是不行的。就好比你不可能叫10岁小孩子去干重体力劳动一样
三、大疆德国官网
大疆无人机，创立于2006年 ，创始人汪滔，深圳市大疆创新科技有限公司旗下的无人机品牌。
2012年，推出到手即飞的世界首款航拍一体机“大疆精灵Phantom 1”。
2014年11月，推出了SDK软件开发套件。
2016年9月1日，大疆在德国柏林IFA展会现场正式发布了灵眸Osmo手机云台（Osmo Mobile）。
2018年8月23日，大疆创新发布“御”Mavic 2 系列无人机，包括“御”Mavic 2 专业版及“御”Mavic 2 变焦版两款，其中专业版搭载了大疆创新与哈苏共同研发的L1D-20c航拍相机，这是大疆创新首次和哈苏相机合作。
2018年11月29日，大疆创新正式发布灵眸Osmo口袋云台相机，拥有4K60fps的拍摄能力。
2019年6月12日，大疆创新在北京发布其首款教育机器人机甲大师RoboMaster S1。该款机器人配置31个传感器、46个可编程部件等，支持两种编程语言，是为青少年和科技爱好者搭建体验人工智能技术的平台。
2020年11月5日，大疆创新发布Mavic air的第二代：Mavic air2，拥有1/2英寸传感器，最高支持拍摄4800像素照片或4K60fps视频。
2020年8月26日，大疆创新发布OSMO手机稳定云台4，创新的使用了磁吸结构。
2020年11月25日，大疆创新发布了RSC2和RS2两款专业相机稳定器，首次在该领域使用可折叠设计。
四、德国无人机品牌排行榜
德国·乐德飞翼是一个1935年诞生于德国的品牌，1997年发明飞翼睡眠系统，2013年推出双杆式立体微动飞翼，中国总部位于上海。目前乐德飞翼在德国有六百多个网点，产品在比利时、瑞士、美国等欧美二十多个国家销售。
五、欧洲大疆无人机
大疆Mini 2的精髓还是其低于249克的起飞重量，这个起飞重量有两个好处，一个是在非禁飞区起飞无人机，可以不需要申报，当然最终还是要遵循当地的规定。另一个是携带无人机出国旅行更加简单，以往需要提前15天进行申报，还会遇到各种各样的申报疑难问题，现在更加简单轻松。现在前往欧洲、美国、日本等地就无须提前15天申请。
价格方面，大疆Mini 2标准版的售价为2899元，畅飞套装的售价为3799元，价格优势依旧非常明显。就拿标准版本来说，3000元以下的无人机，大多数都是娱乐性质的产品，而大疆Mini 2包含非常多配件以及一台可以进行准专业拍摄的无人机，这一点就具有明显的竞争力。这个上市售价也与大疆MavicMini发布售价接近，但是提升的部分却非常明显。
六、大疆在德国的发展
英诺赛科于2017年成立，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业。英诺赛科采用IDM模式，集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体，成功打造硅基氮化镓全产业链平台，产品涵盖30-900V功率半导体器件，IC及射频器件。英诺赛科30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品已陆续推出并实现量产，为世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。旗下拥有英诺赛科（苏州）半导体有限公司及英诺赛科（珠海）科技有限公司两家控股子公司。
英诺赛科于2015年12月在珠海建设珠海8英寸硅基氮化镓研发生产基地，投资额超20亿元，目前产线运转稳定，产品持续出货中；于2018年在苏州吴江开始建造苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地，项目投资60亿元，苏州项目一期已于2020年9月完成厂房基本建设和生产设备搬入，2020年12实现试生产，预计2021年3月正式投产，项目建成后将成为全球产能最大的8英寸硅基氮化镓量产线，全线投产后将形成年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的产能，可创造就业岗位2000名。
英诺赛科目前总人数近1000人，成功聚集了国内外硅基氮化镓领域顶尖的人才。核心技术团队均来自于国际一流半导体企业，硅基氮化镓产业化经验丰富，专业领域涵盖：宽禁带半导体器件原理与器件设计、硅基氮化镓与碳化硅外延产业化技术、硅基氮化镓与碳化硅功率器件、射频器件产业化技术、MOCVD设备技术。
打破国际垄断
英诺赛科主要产品包括30V-650V 硅基氮化镓功率及射频器件。其中30V-650V 系列芯片产品已推出并实现量产，高压650V 器件可应用于汽车、工业电机等产业，低压30-200V 器件可应用于数据中心、自动驾驶激光雷达等战略新兴产业，英诺赛科是世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。可全面支持上述产业的关键功率芯片应用供应，打破国际垄断。
英诺赛科与华为、浪潮、小米、OPPO、大疆、比亚迪、禾赛科技、安森美、MPS 等国内外厂商开展深入合作，功率器件和射频器件的应用开发。
英诺赛科对集微网表示，基于公司氮化镓高压芯片的大功率、小型化手机快充已经全面推向市场，英诺赛科成为中国唯一一家提供手机快充氮化镓芯片的企业，打破了美国公司氮化镓快充芯片在该领域的垄断局面，公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品出货已达数百万颗。
英诺赛科低压氮化镓产品已取代美国EPC 公司产品，成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商，实现国产替代。
此外，英诺赛科已成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品，可取代原有硅器件，大幅度提升系统效率，降低能耗及运营成本。
英诺赛科与中国最为知名的5G射频基站提供商开展广泛战略合作，积极开展应用于5G 基站的硅基氮化镓射频芯片开发，并计划于2021 年开始小批量生产，逐步实现5G 应用领域射频器件国产化。
实力秀肌肉
英诺赛科表示公司采用8英寸硅基氮化镓生产工艺，相对其他尺寸的生产线，公司8英寸的生产工艺的成本更低和技术工艺更优及提高器件的可靠性。
英诺赛科结合德国爱思强MOCVD（G5+）和8英寸CMOS兼容晶圆制造线，解决了化合物半导体晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈，成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产。
此外，英诺赛科采用IDM全产业链模式，成功搭建了8英寸硅基氮化镓全产业链平台，内容涵盖研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析。公司通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，在世界上首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。
值得一提的是，英诺赛科在全球范围内首次成功实现8英寸硅基氮化镓量产技术，技术全球领先。该量产技术为国内首次实现，解决了国家在第三代半导体领域卡脖子问题，实现了零的突破。英诺赛科产品均具有自主核心知识产权，截止到目前，英诺赛科已申请国内外核心专利超过250项。
第三代半导体走上历史舞台
从20世纪60年代起，国际半导体工业已先后经历了第一代锗、硅器件和第二代砷化镓器件两个时代。目前，电子器件主要基于传统的硅半导体，经过几十年的发展，器件的性能已经达到硅材料上限，不能满足进一步提高电能转换效率的要求，已无法解决5G通信、数据中心、汽车等领域对器件高电压、高效能、高能量密度、高可靠性的要求。因此，以氮化镓为代表的第三代半导体器件正逐渐走上历史舞台。
英诺赛科表示，受制于成本因素，目前氮化镓功率器件市场渗透率不到1%。未来，技术进步将推动氮化镓功率器件的成本快速下降，逐渐成为低中压功率半导体市场的主流产品。氮化镓功率器件凭借其高频特性和电源转换效率，其出货量预期有较强的增长潜力，有望在功率半导体领域替换硅功率器件。且随着新能源汽车、5G 通信、数据中心、高速轨道交通的快速发展以及“新基建”的布局，氮化镓功率器件必将面向更加广阔的市场。
无论从技术的发展趋势、应用导向还是国家政策层面，第三代半导体氮化镓具有十分广阔的市场前景。且中国作为全球最大的半导体消费市场，在市场风口到来、产业火热加码布局等利好因素加持下，国内第三代半导体产业正在进击前行。随着相关企业持续扩增产能、降低生产成本、提高产品可靠性，国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升，并实现国产替代。
英诺赛科将一如既往坚持创新研发，为“新基建”注入新动能，加快5G通信、数据中心等新型基础设施建设进度，以创新驱动发展助力中国“芯”突破，在庞大的半导体产业中实现对进口技术和产品的替代，让中国成为第三代半导体硅基氮化镓制造的世界第一。